型號(hào) |
LA-2132 LVDS(K2)(250 MHz, 256K 內(nèi)存) |
LA-2132 LVDS(G512)
(1GHz, 4 MB內(nèi)存)
|
通道數(shù):
內(nèi)時(shí)鐘采樣速率:
每通道記錄長(zhǎng)度: |
32通道:
采樣率:1Sa/s到250MSa/s
256K 存儲(chǔ)深度 |
在用道32通道時(shí):
采樣率為:1Sa/s到250MSa/s
1MB 存儲(chǔ)深度 |
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在用到16 通道時(shí):
采樣率為1Sa/s 到500MSa/s存儲(chǔ)深度:2 Mega | |
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在用到8通道時(shí):
采樣率為1Sa/s 到1GSa/s
存儲(chǔ)深度:4 Mega | |
2個(gè)通道為雙向LVDS
2個(gè)通道為輸入LVDS
不能擴(kuò)展到64通道 |
2個(gè)通道為雙向LVDS
2個(gè)通道為輸入LVDS
不能擴(kuò)展到64通道 | |
外時(shí)鐘采樣率: |
到 125MSa/s, DC 到200MHz 對(duì)于LVDS | |
I/O 測(cè)量帶寬: |
通道CH 0 ~ 31 DC到125MHz, DC 到200MHz 對(duì)于LVDS | |
輸入阻抗: |
250Kohm // 2pf (末端接地) | |
輸入電壓: |
最大. –110 V 到 +110 V 對(duì)所有 32通道
0 到 5V 僅對(duì)所有LVDS通道 (如果輸入電壓超過(guò)這個(gè)范圍將燒壞設(shè)備) | |
門(mén)限電壓: |
門(mén)限電壓的范圍從-3.7V到+1.9V,每步以35mV跳變.
通常5V的TTL電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為1.4V.
ECL電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(-1.3V).
LVC1.5V電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(0.75V).
LVC1.8V電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(0.9V).
LVC2.5V電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(1.2V).
LVC3.3V電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(1.4V).
SSTL2|| 2.5V電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(1.25V).
SSTL3|| 3.5V電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(1.4V). | |
每通道斜率: |
典型值 < 200ps | |
觸發(fā)位置: |
用戶(hù)所定義的任何位置 | |
最大. 觸發(fā)速度 |
250MHz (4ns) | |
觸發(fā)性質(zhì) |
0, 1, x (任意) 設(shè)置所有數(shù)字通道,2,8,512級(jí)觸發(fā) | |
支持電源: |
不需要電源支持 | |
凈重: |
120 克 | |
尺寸: |
107mm x 77mm x 16mm |
型號(hào) |
LA-2132 K系列(250 MHz, 256K內(nèi)存) |
LA-2132 M 系列(500MHz, 1 M內(nèi)存) |
LA-2132 G系列(1 GHz, 4 M 內(nèi)存) |
通道數(shù):
內(nèi)時(shí)鐘采樣速率:
每通道記錄長(zhǎng)度: |
32通道:采樣率:1Sa/s到250MSa/s,256K 存儲(chǔ)深度 |
32通道:采樣率:1Sa/s到250MSa/s,512 K 存儲(chǔ)深度 |
32通道:采樣率:1Sa/s到250MSa/s,1 Mega 存儲(chǔ)深度 |
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在用到16 通道時(shí),采樣率為1Sa/s 到500MSa/s
存儲(chǔ)深度:1 Mega |
在用到16 通道時(shí),采樣率為1Sa/s 到500MSa/s
存儲(chǔ)深度:2 Mega | |
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在用到8通道時(shí),采樣率為1Sa/s到1GSa/s
存儲(chǔ)深度:4 Mega | |
不支持LVDS模式2個(gè)LA-2132能用扁平電纜連接擴(kuò)展到64通道(同步) |
不支持LVDS模式2個(gè)LA-2132能用扁平電纜連接擴(kuò)展到64通道(同步 |
不支持LVDS模式
2個(gè)LA-2132能用扁平電纜連接擴(kuò)展到64通道(同步 | |
外時(shí)鐘采樣率: |
到 125MSa/s | ||
I/O 測(cè)量帶寬: |
通道CH 0 ~ 31 DC到125MHz | ||
輸入阻抗: |
250Kohm // 2pf (末端接地) | ||
輸入電壓: |
最大. –110 V 到 +110 V 對(duì)所有 32通道
(如果輸入電壓超過(guò)這個(gè)范圍將燒壞設(shè)備) | ||
門(mén)限電壓: |
門(mén)限電壓的范圍從-3.7V到+1.9V,每步以35mV跳變.
通常5V的TTL電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為1.4V.
ECL電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(-1.3V).
LVC1.5V電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(0.75V).
LVC1.8V電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(0.9V).
LVC2.5V電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(1.2V).
LVC3.3V電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(1.4V).
SSTL2|| 2.5V電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(1.25V).
SSTL3|| 3.5V電平需要門(mén)限電壓設(shè)置為(1.4V). | ||
每通道斜率: |
典型值 < 200ps | ||
觸發(fā)位置: |
用戶(hù)所定義的任何位置 | ||
最大. 觸發(fā)速度 |
250MHz (4ns) | ||
觸發(fā)性質(zhì) |
0, 1, x (任意) 設(shè)置所有數(shù)字通道 | ||
支持電源: |
不需要電源支持 | ||
凈重: |
120 克 | ||
尺寸: |
107mm x 77mm x 16mm |
系列型號(hào)(USB口)基本緩存 |
采樣速率 |
通道 |
最大存儲(chǔ) |
實(shí)測(cè)帶寬 |
觸發(fā)門(mén)限電壓 |
觸發(fā)功能 |
全套價(jià)格含配件 |
PG32200K/256K |
200MHz |
32 |
256K(max) |
100MHz |
0 ~ +3V |
復(fù)雜 |
5900元 |
PG32200M/1024K |
200MHz |
32 |
1M(max) |
100MHz |
0 ~ +3V |
復(fù)雜 |
6900元 |
PG32400K/512K |
400MHz |
32 |
512K(max) |
200MHz |
0 ~ +3V |
復(fù)雜 |
9800元 |
PG32400M/2M |
400MHz |
32 |
2M(max) |
200MHz |
0 ~ +3V |
復(fù)雜 |
14800元 |
LA2132K/256K
(有三種型號(hào))
LA2132K2/256K
LA2132K8/256K
LA2132K512/256K |
250MHz |
32 |
256K(max) |
125MHz
LVDS下
200MHz |
-3.7 ~ +1.9V |
K2,K8,K512分別是2級(jí),8級(jí)512級(jí)觸發(fā) |
4900元
K2型號(hào)
9800元
K8型號(hào)
14800元
K512型號(hào) |
LA2132M/1M 系列(有三種型號(hào))
LA2132M2/1M
LA2132 M8/1 M
LA2132 M512/1M |
500MHz |
32 |
1M(max) |
125MHz
LVDS下
200MHz |
-3.7 ~ +1.9V |
M2,M 8,M512分別是2級(jí),8級(jí)512級(jí)觸發(fā) |
6900元
M2型號(hào)
12800元
M8型號(hào)
16800元
M512型號(hào) |
LA2132G/4M 系列(有三種型號(hào))
LA2132G2/1G
LA2132 G8/1 G
LA2132 G512/1G |
1GHz |
32 |
4M(max) |
125MHz
LVDS下
200MHz |
-3.7 ~ +1.9V |
G 2,G 8,G 512分別是2級(jí),8級(jí)512級(jí)觸發(fā) |
9980元
G2型號(hào)
14800元
G8型號(hào)
19800元
G512型號(hào) |