特點(diǎn)和優(yōu)勢:?xml:namespace>
無設(shè)置
自配置測試設(shè)置允許待測設(shè)備(DUT)進(jìn)行任意負(fù)載。然后自動(dòng)檢測DUT的極性、功能和方向。測試前不需要找到正確的針腳接入。
可存取結(jié)果
通過或未通過LED指示器迅速顯示出測試結(jié)果狀態(tài)。背光LCD顯示器顯示出觀察到的測量情況:參數(shù)數(shù)據(jù)、設(shè)備類型、設(shè)備分類以及每個(gè)針的功能或極性。
檢測電流泄漏
靈敏電流測量能檢測出具有泄漏問題的損壞或退化設(shè)備。
多用途操作
多個(gè)測試插座和測試插座適配器,為絕大多數(shù)型號的穿孔和SMD組件測試提供支持。
恒定電流吸收或電流偏置
在用于穩(wěn)壓器輸出負(fù)載的恒定電流吸吸收、用于測量雙極管或齊納雙極管電壓的電流偏置之間進(jìn)行切換。
指尖測試激活
具有指尖測試激活按鈕的3點(diǎn)探測設(shè)備,能夠進(jìn)行快速、便捷的內(nèi)電路PCB測試。
可編程電壓源
1,099伏特可編程電壓源,用于擊穿電壓和泄漏電流測試。
包括22種測試常規(guī)類型。
— 雙極晶體管 (Iceo、Ices、Icbo、Bvceo、Bvces、BVcbo)
— MOSFET(Idss、Igss和BVdss)
— 二極管 (Ir、BVr、Vf)
— 齊納二極管 (Vz、Iz)
— 晶閘管 (Idrm、BVdrm)
— J-FET (Idss、Igss)
— 光隔離器 (Iceo)
— 穩(wěn)壓器 (+/- Vo,+/- I load)
— 電流泄露*
* - 測量任意兩端之間的電壓和電流,電壓最高達(dá)1,099V,電流范圍低至“nA”。該設(shè)備用于測試瞬態(tài)電壓抑制器的鉗位電壓(Vbr),測量設(shè)備的輸入阻抗(根據(jù)歐姆法則 R=V/I),或檢測兩點(diǎn)之間的泄漏電流(I leak)。
功能測試中的驅(qū)動(dòng)條件
恒定電源
DUT輸出級閾值級
二極管正向電壓 (Vf) 測量 最低Vf > 0.1 V,正向電流,50 ma ~ 1,000 ma Zener二極管擊穿電壓 (Vz) 0.1V ~ 30V,偏置電流,3 ma ~ 80 ma 穩(wěn)壓器輸出電壓 (+/- Vo) 0.2 V ~ 26.0 V,輸出負(fù)載電流,50 ma~ 1.0 AMP | 泄漏電流測量參數(shù) 雙極 / MOSFET晶體管:Ices,Iceo,Icbo,& Idss 二極管:Ir 晶閘管(SCR/TRIAC):Idrm
MOSFET和J-FET泄漏電流測量 MOSFET:Igss J-FET:Idss,Igss
擊穿電壓測量參數(shù) 雙極/MOSFET晶體管:Bvceo、Bvces、Bvcbo和VBdss 二極管:BVr THYRISTOR:BVdrm
高壓電源 最大輸出電壓:1,099 V 最大輸出瓦特:3 W |