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TY10功率器件參數(shù)測(cè)試儀IST878ZX21

TY10

功率器件參數(shù)測(cè)試儀IST878

ZX21
功率器件參數(shù)測(cè)試儀IST878
訂 貨 號(hào)：zy410345 品    牌：中國(guó) 產(chǎn)    地：中國(guó) 市 場(chǎng) 價(jià)： 折 扣 價(jià)： 發(fā)貨周期：現(xiàn)貨或5天內(nèi)
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特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

無(wú)設(shè)置

自配置測(cè)試設(shè)置允許待測(cè)設(shè)備（DUT）進(jìn)行任意負(fù)載。然后自動(dòng)檢測(cè)DUT的極性、功能和方向。測(cè)試前不需要找到正確的針腳接入。

可存取結(jié)果

通過(guò)或未通過(guò)LED指示器迅速顯示出測(cè)試結(jié)果狀態(tài)。背光LCD顯示器顯示出觀察到的測(cè)量情況：參數(shù)數(shù)據(jù)、設(shè)備類(lèi)型、設(shè)備分類(lèi)以及每個(gè)針的功能或極性。

檢測(cè)電流泄漏

靈敏電流測(cè)量能檢測(cè)出具有泄漏問(wèn)題的損壞或退化設(shè)備。

多用途操作

多個(gè)測(cè)試插座和測(cè)試插座適配器，為絕大多數(shù)型號(hào)的穿孔和SMD組件測(cè)試提供支持。

恒定電流吸收或電流偏置

在用于穩(wěn)壓器輸出負(fù)載的恒定電流吸吸收、用于測(cè)量雙極管或齊納雙極管電壓的電流偏置之間進(jìn)行切換。

指尖測(cè)試激活

具有指尖測(cè)試激活按鈕的3點(diǎn)探測(cè)設(shè)備，能夠進(jìn)行快速、便捷的內(nèi)電路PCB測(cè)試。

可編程電壓源

1,099伏特可編程電壓源，用于擊穿電壓和泄漏電流測(cè)試。

包括22種測(cè)試常規(guī)類(lèi)型。

—   雙極晶體管 (Iceo、Ices、Icbo、Bvceo、Bvces、BVcbo)

—   MOSFET(Idss、Igss和BVdss)

—   二極管 (Ir、BVr、Vf)

—   齊納二極管 (Vz、Iz)

—   晶閘管 (Idrm、BVdrm)

—   J-FET (Idss、Igss)

—   光隔離器 (Iceo)

—   穩(wěn)壓器 (+/- Vo，+/- I load)

—   電流泄露*

* - 測(cè)量任意兩端之間的電壓和電流，電壓最高達(dá)1,099V，電流范圍低至“nA”。該設(shè)備用于測(cè)試瞬態(tài)電壓抑制器的鉗位電壓(Vbr)，測(cè)量設(shè)備的輸入阻抗(根據(jù)歐姆法則 R=V/I)，或檢測(cè)兩點(diǎn)之間的泄漏電流(I leak)。

功能測(cè)試中的驅(qū)動(dòng)條件

低驅(qū)動(dòng)

Ic ≤ 10 ma

Ib ≤ 0.9 ma

高驅(qū)動(dòng)

Ic ≤ 350 ma

Ib ≤ 75 ma

驅(qū)動(dòng)脈沖 ≤ 300 us

 

恒定電源

范圍

低

高

 

 

 

1

3 ma

50 ma

2

10 ma

150ma

3

30 ma

400 ma

4

35 ma

500 ma

5

40 mA

650 ma

6

50 ma

750 ma

7

70 ma

1000 ma

 

DUT輸出級(jí)閾值級(jí)

邏輯

外電路

內(nèi)電路

高

11.0 V

6.80 V

低

1.18 V

2.20 V

 

二極管正向電壓 (Vf) 測(cè)量

最低Vf > 0.1 V，正向電流，50 ma ~ 1,000 ma

 

Zener二極管擊穿電壓 (Vz)

0.1V ~ 30V，偏置電流，3 ma ~ 80 ma

 

穩(wěn)壓器輸出電壓 (+/- Vo)

0.2 V ~ 26.0 V，輸出負(fù)載電流，50 ma~ 1.0 AMP

 

泄漏電流測(cè)量參數(shù)

雙極 / MOSFET晶體管：Ices，Iceo，Icbo，& Idss

二極管：Ir 晶閘管(SCR/TRIAC)：Idrm

測(cè)試范圍*

解析度

精度

給定電壓

0-400 uA

0.1 nA

+/- 2%

0-1,099 V 可編程

0-4 uA

1 nA

+/- 1%

0-1,099 V 可編程

0-40 uA

10 nA

+/- 1%

0-1,099 V 可編程

0-400 uA

100 nA

+/- 1%

0-1,099 V 可編程

0-4 mA

1 uA

+/- 1%

0-1,099 V 可編程

0-40 mA

10 uA

+/- 1%

不可用

 

MOSFET和J-FET泄漏電流測(cè)量

MOSFET：Igss     J-FET：Idss，Igss

測(cè)試范圍*

解析度

精度

給定電壓

0-400 uA

0.1 nA

+/- 2%

0-30 V 可編程

0-4 uA

1 nA

+/- 1%

0-30 V 可編程

0-40 uA

10 nA

+/- 1%

0-30 V 可編程

0-400 uA

100 nA

+/- 1%

0-30 V 可編程

0-4 mA

1 uA

+/- 1%

0-30 V 可編程

0-40 mA

10 uA

+/- 1%

0-30 V 可編程

 

擊穿電壓測(cè)量參數(shù)

雙極/MOSFET晶體管：Bvceo、Bvces、Bvcbo和VBdss

二極管：BVr  THYRISTOR：BVdrm

測(cè)試范圍

解析度

精度

給定電流

0-30 V

0.03 V

+/- 1%

0-40 mA 自動(dòng)調(diào)節(jié)范圍

30-1,099 V

1.05 V

+/- 1%

0-4 mA 自動(dòng)調(diào)節(jié)范圍

高壓電源

最大輸出電壓：1,099 V

最大輸出瓦特：3 W

 

 

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功率器件參數(shù)測(cè)試儀IST878

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