Cluster Configuration多腔室系統(tǒng)High throughput 高產(chǎn)能
刻蝕和沉積模塊可以組合到一起,采用雙盒式載片臺(tái),進(jìn)行最大尺寸為200 mm的晶圓工藝來(lái)提高產(chǎn)能。
Research & development 研發(fā)型
ICP刻蝕機(jī)、RIE刻蝕機(jī)、PECVD和ICPECVD、真空裝片裝置或盒式載片臺(tái)可以用3到6端口的傳遞腔室連接,實(shí)現(xiàn)多腔室系統(tǒng)供研發(fā)所用。
SENTECH多腔室機(jī)臺(tái)由刻蝕沉積模塊、傳遞腔室、預(yù)真空室或盒式載片臺(tái)組合而成。傳遞腔室可以設(shè)置3到6個(gè)端口。雙盒式載片臺(tái)可以提高產(chǎn)能。傳遞腔可以由多種選件來(lái)裝配。
SENTECH多腔室研發(fā)機(jī)臺(tái)配備有SENTECH專門為其定制的控制軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)工業(yè)化操作。